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STW33N60M2详细介绍

STW33N60M2详细介绍描述 这些器件是采用新一代MDmeshnM技术开发的N沟道功率MOSFET：MDmesh II Plus低Qg。这些功率MOSFET可以为带状布局提供垂直结构，从而产生较低的导通电阻和栅极电荷之一。因此...
不能吃冰淇淋的仙女
发表于 2019/8/22 下午3:38:39
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射频收发器实现强制杂散去相关性

　　在大型数字波束合成天线中，人们非常希望通过组合来自分布式波形发生器和接收器的信号这一波束合成过程改善动态范围。如果关联误差项不相关，则可以在噪声和杂散性能方面使动态范围提升10logN。这里的N是波形发生器或接收器通道的数量。噪声在本质...
夏夏xyxy
发表于 2019/8/21 下午4:22:17
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PCB设计的一般原则

　　要使电子电路获得最佳性能，元器件的布局及导线的布设是很重要的。为了设计质量好、造价低的PCB，应遵循以下的一般性原则：　　1.布线　　布线的原则如下：　　（1）输入输出端用的导线应尽量避免相邻平行。最好加线间地线，以免发生反馈藕合。　　...
sdh588
发表于 2019/8/20 下午6:44:09
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微控制器是什么?微控制器的应用

　　国际上微处理器根据应用的领域不同分为三类：一是通用高性能微处理器，二是嵌入式微处理器，三是微控制器。通用微处理器追求高性能，主要用于工作站和高性能个人计算机系统。嵌入式处理器主要用于运行面向特定领域的专用程序，配备轻量级操作系统。它的应...
夏夏xyxy
发表于 2019/8/20 下午4:01:16
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关于TPS63020DSJR

关于TPS63020DSJR描述 TPS63020DSJR器件为采用双节或三节碱性电池，NiCd或NiMH电池或单节锂离子或锂聚合物电池供电的产品提供电源解决方案。使用单节Li-lon或Li-Poymer电池时，输出电流可高达3A...
不能吃冰淇淋的仙女
发表于 2019/8/20 下午3:03:30
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发一个招聘信息，感兴趣的请联系我帮忙内推

工作地点上海，具体如下：
Felix
发表于 2019/8/19 下午4:50:40
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MOS场效应管注意事项

　　MOS场效应管注意事项　　1、如何防止绝缘栅型场效应管击穿　　由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高，这本来是它的优点，但在使用上却带来新的问题。由于输入阻抗高，当带电荷物体一旦靠近栅极时，在栅极感应出来的电荷就很难通过这个电阻泄放掉，电荷...
夏夏xyxy
发表于 2019/8/19 下午3:27:13
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DC-DC芯片中的新型电流感应电路技术

　　在DC-DC设计中，由于电流环路控制模式具有的巨大优越性，电流环路控制已经成为一种普遍采用的控制方法。在电流环路中，电流感应是实现电流控制环路的第一步，也是必不可少的一部分。另外，电流感应也是过流保护、零电流保护、斜坡补偿等功能的实现基...
夏夏xyxy
发表于 2019/8/17 上午10:46:09
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LM358是什么?有哪些特性呢?

　　LM358内部包括有两个独立的、高增益、内部频率补偿的双运算放大器，适合于电源电压范围很宽的单电源使用，也适用于双电源工作模式，在推荐的工作条件下，电源电流与 电源电压无关。它的使用范围包括传感放大器、直流增益模组,音频放大器、工业控...
Chip37
发表于 2019/8/16 下午5:38:22
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如何提高晶体管的开关速度？

　　晶体管的开关速度即由其开关时间来表征，开关时间越短，开关速度就越快。BJT的开关过程包含有开启和关断两个过程，相应地就有开启时间ton和关断时间toff，晶体管的总开关时间就是ton与toff之和。　　如何提高晶体管的开关速度？——可以...
夏夏xyxy
发表于 2019/8/16 下午4:03:32
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关于LM311DR

关于LM311DR描述 LM111，LM211和LM311DR是单个高速电压比较器。这些器件设计用于各种电源电压，包括用于运算放大器的15 V电源和用于逻辑系统的5V电源。输出电平与大多数TTL和MOS电路兼容。这些比较器能够驱动...
不能吃冰淇淋的仙女
发表于 2019/8/16 下午2:23:29
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芯科EmberZNet_ZigBee3.0_EFR32MG开发日记六：ZigBee3.0网络创建与加入2

6ZigBee实验1操作使用一个节点按1-5节的介绍，完成Coord工程的烧写。使用另一个节点按1-5节的介绍，完成Router工程的烧写。使用micro-USB数据线或2节AA电池为节点供电。micro-USB数据线供电电池供电为COORD节点
CuiyyTime
发表于 2019/8/16 上午9:19:57
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集成电路失效原因的三个阶段

　　可靠性（Reliability）是对产品耐久力的测量， 我们主要典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线（Bathtub Curve）来表示。　　集成电路失效原因的三个阶段　　如上图示意， 集成电路的失效原因大致分为三个阶段：　　Re...
夏夏xyxy
发表于 2019/8/15 下午4:12:15
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关于EP4CE75F23I7N

关于EP4CE75F23I7N规格参数LAB/CLB 数：4713逻辑元件/单元数：75408总 RAM 位数：2810880I/O 数：292电压 - 电源：1.15 V ~ 1.25 V工作温度：-40°C ~ 100°C（TJ）封装/...
不能吃冰淇淋的仙女
发表于 2019/8/15 下午3:22:54
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CX8871:8A大电流，频率可调外置MOS车充芯片

CX8871，8A大电流成熟车充方案首选，提供CX8871样品申请，CX8871规格书，DEMO板测试及FAE技术支持！
Q1196393673
发表于 2019/8/14 下午7:05:24
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