Power Amplifier MMIC Flow 2008-06-18
1.DetermineOptimumBiasPointforRequiredOutputPower;2.DesignofBiasingNetwork;3.TransistorStabilityAnalysis,ZsourceCalculationforMAG;4.Load-pullAnalysistoDetermineOptimumZloadforRequiredPout;5.DesignofMatchingNetwork;6.Optimization,YieldAnalysisandDesig
发表于 1/31/2010 10:27:18 AM
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Nokia E71 + VBIC乱弹 2008-06-18
看起来很不错啊，当然价格也不错--500刀。上周回家玩了一把N73和N95，觉得也就那样，一如既往的慢，让人无法忍受。姑父说给我一个iPhone，我高兴极了，因为从包装盒上看确实是真品iPhone--可惜里面是山寨的，气死我了。现在的山寨，更加高明了。昨天有些进展的VBIC模型
发表于 1/31/2010 10:26:45 AM
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VBIC Modeling for InGaP/GaAs HBT 2008-06
长叹一口气......该死的VBIC模型，终于可以不再折磨我那少得可怜的脑细胞了。湖哥走的时候将MMICPA的工作留给我，到现在他毕业整整一年了，但是工作几乎停滞不前。电路的拓扑结构和工艺早就OK了，但是在设计的时候没有HBT器件模型，没有Load-pull测试数据--当我试图去做
发表于 1/31/2010 10:26:22 AM
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III-Vs and Ge look to help CMOS 2008-06-
From:compoundsemiconductor.netCracksarestartingtoappearinsiliconCMOS.AlthoughtheInternationalTechnologyRoadmapforSemiconductorsstatesthatMOSFETswithstrainedsiliconchannelswillbesuitabledowntothe22nmnodeandpossiblybeyond,projectionsofdeviceperformance
发表于 1/31/2010 10:25:52 AM
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两篇报道 2008-06-13
微电子所研制成功高性能Ku波段功率放大器模块近日，微电子所在新型微波功率放大器模块研究领域获得突破性进展。中国科学院微电子研究所—四川龙瑞微电子联合实验联合研制成功的Ku波段功率放大器模块，在13.7-14.5GHz频率范围内，功率增益，输出峰值功率，总工作效
发表于 1/31/2010 10:25:14 AM
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高频S参数测试中的去嵌入 2008-06-05
好长时间没有更新Blog了，看paper看得满脑子都是VBIC了，今天灌一篇，说一下测试和建模。S参数测试中的去嵌入问题，以前觉得挺高深的，但是实际做过之后也不觉得有多困难了--当然，如果精度要求很高的话就另当别论了。在画版图的时候，除了器件之外一般还要有用于去嵌入
发表于 1/31/2010 10:24:35 AM
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A new market for GaAs PAs 2008-05-28
From:compoundsemiconductor.netTheemergingmarketforso-calledfemtocellswillexplodeoverthenextfiveyears,providingakeynewapplicationforpoweramplifier(PA)components,andalikelyboostformakersofGaAsdevices.ReportsfromABIResearch,In-StatandWintergreenResearch
发表于 1/31/2010 10:24:07 AM
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RFMD shelves transceiver development 200
From:compoundsemiconductor.netRFMicroDevicesistoceasedevelopmentoftransceiversfornext-generationhandsetsandselloffitsGPSsolutionsbusiness,reducingitsheadcountby350employees.TheGaAschipmakerestimatesthatthemovewillsaveit$75millionannually,largelyfromt
发表于 1/31/2010 10:23:17 AM
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朱清时建议停止高校评估 2008-05-07
2008年4月23日《南方周末》专访中国科学技术大学校长朱清时院士■第一我们有自信，科大这个状态如果都说我们不好，我想其他高校很少有比我们做得更好的。第二，我觉得我们还是有种骨气，我们科大人不愿意弄虚作假，去得一些虚名。■教学评估就变味了，变成了泡沫化。所
发表于 1/31/2010 10:21:44 AM
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Skyworks's Customer 2008-05-05
Skyworksattributespartofitsrecentsuccesstostrategicallydevelopingitsbusinesswithspecificpartners,likeacquiringasupplydealwithBlackberrymanufacturerResearchinMotionthroughitspurchaseofFreescale’sGaAshandsetPAbusiness.AlthoughSony-Ericsson,Motoro
发表于 1/31/2010 10:21:16 AM
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Skyworks's Customer 2008-05-05
Skyworksattributespartofitsrecentsuccesstostrategicallydevelopingitsbusinesswithspecificpartners,likeacquiringasupplydealwithBlackberrymanufacturerResearchinMotionthroughitspurchaseofFreescale’sGaAshandsetPAbusiness.AlthoughSony-Ericsson,Motoro
发表于 1/31/2010 10:21:08 AM
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InGaP/GaAs HBT MMIC工艺流程 2008-04-26
我们开发的4英寸InGaP/GaAsHBTMMIC工艺流程。每一个步骤都有大量的实验和数据支持，已经非常成熟。A.制作对准标记。溅射金属Ti/W。在溅射金属之前，要用酸性腐蚀液对4英寸外延片表面进行处理，否则标记金属容易起皱脱落。另外，在后面的工艺步骤中要注意对标记进行保护
发表于 1/31/2010 10:20:46 AM
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UR 202 2008-04-20
这真是一块NB的手表：涡轮发动机、压缩空气。我很喜欢，因为它真正体现了我所追求的：ComplexPrecision。不过，这个东西是可望不可及的，不信看看编评论：LikeyourRolls-Royce,LouisVuittonbags,andpriceless,endangeredanimalcollection,theUrwerkUR-202turbineregulat
发表于 1/31/2010 10:20:02 AM
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GaAs(InP) HBT的优势与劣势 2008-04-19
HBT、HEMT是微波毫米波领域中非常重要的高速固态器件，其中HBT由于具有功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好、单电源工作、芯片面积小和价格性能比低等特点，已经逐步发展为MMIC领域中一个非常有竞争力的技术。目前，HBT已被广泛应用于高速光通信系统，如光调制驱动
发表于 1/31/2010 10:19:38 AM
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Blogbus优秀乘客 2008-04-19
倍感荣幸，呵呵。不过有个错误，我的上车时间应该是2004年2月24日。哦，都整整四年过去了，到现在为止，共有783篇日志，358条评论。也曾试用过别的Blog服务，如Space、Blogger等，还是最喜欢Blogbus，简洁、简单而且给用户很大的自由度。所以，扎根Blogbus是非常不错的
发表于 1/31/2010 10:19:11 AM
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