NI_LABVIEW第二块抛的砖头太大了，偶只能慢慢去整理资料一点点的梳理出来，因为牵涉的东西实在很多。
细节之二就是EX-375在平衡最窄脉冲的问题时是做过考虑的，往往在开关电源设计都喜欢用变压器直接驱动MOSFET，驱动脉冲随驱动脉宽的变窄往往无法打开MOSFET，这种类似“停振”状态对于开关电源来说也将引起噪音的加大，必须予以克服，这也是我们经常看到电源轻载噪音加大原因之一。而在对国内的开关电源了解当中很少考虑此种问题，这或许也是我们电源指标不过关的因素之一。
关于MOS管的特性，我曾经做过总结，文章如下：功率Mosfet参数介绍
关于MOS管的驱动要求可看：MOS管驱动基础和时间功耗计算
隔离室和非隔离式的驱动概要：MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点
MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点
这个课题实在涵盖了大功率MOS管，小功率MOS管，电源和驱动设计，脉冲变压器，功耗设计等等诸多纷繁复杂的侧面，偶实在觉得不能一蹴而就，只能找一些资料，通过抓住MOS管的驱动设计试图去找到一些答案，实际上控制频率，功率，各种不同的电路拓扑结构都对这些选择有着至关重要的影响，偶承认一时半会偶实在搞不定，算是集思广益吧。
然后是可参考的文档：
我觉得中文的写得比较好的文章如下，可大概参考一下：
详细讲解MOSFET管驱动电路：
/uploads/Blog_affix/files/6101730446860.doc


几种MOSFET驱动电路的研究：
/uploads/Blog_affix/files/6102009213111.doc



英文的文章较多：
1.最经典的文章：
TI的Design And Application Guide For High Speed MOSFET Gate Drive Circuits【Google之好多地方可下】
2.这篇文章解释了为什么偏爱隔离式的驱动
Transformer-Isolated Gate Driver Provides very large duty cycle ratios
/uploads/Blog_affix/files/6102388456541.pdf

3.隔离式驱动电路的具体的分析，挺不错的
Gate Drive Design Tips
/uploads/Blog_affix/files/6103169864159.pdf


关于电路设计的和新的结构的
AN ISOLATED MOSFET GATE DRIVER
/uploads/Blog_affix/files/6103553935025.pdf


A NEW ISOLATED GATE DRIVE FOR POWER MOSFETS AND IGBTS
/uploads/Blog_affix/files/6103959697491.pdf


HV Floating MOS-Gate Driver ICs
/uploads/Blog_affix/files/6104407106933.pdf


Hybrid MOSFETDriver for Ultra-Fast Switching
/uploads/Blog_affix/files/6104712866562.pdf


High side MOSFET gate drive the power of well implemented pulse transformers
/uploads/Blog_affix/files/6110178835864.rar


最后是脉冲变压器设计和选择，这也是隔离式设计的时候一个较为头痛的事情。
A Guide to Designing Gate-Drive Transformers


另外有几个链接地址：
http://users.tkk.fi/jwagner/tesla/SSTC/general-sstc-notes-gatedrv.htm
IEEE的几篇文章（学校的童鞋们下到了希望可以和我share一下）：
Power Semiconductors for High Frequency AC/DC Converters supplied on 380/440Vac Mains
Optimized Power Stages for High Frequency 380/440VAC Medium Power Switch Mode Supplies