低成本MOS管下管驱动电路原理分析
一、单个三极管方式：DRV低电平时，Q２断开输出V＋电平；DRV高电平时，Q２导通输电低电平。这种输出高电平是通过R１实现的，驱动能力较差。输出低电平的能力较强。二、２个三极管方式：Q3基极高时：Q1基极被拉低而关断，通过D6把Q2栅极拉低。Q3基极低时：因R5的上拦使Q1
发表于 7/31/2012 5:54:01 PM
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