RAS：    Row Address Strobe，行地址选通脉冲；

CAS：    Column Address Strobe，列地址选通脉冲；

t_RCD：  RAS to CAS Delay，RAS至CAS延迟；

CL：      CAS Latency，CAS潜伏期（又称读取潜伏期），从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的时间段；

RL：      Read Latency,读取潜伏期；

t_AC：    Access Time from CLK,时钟触发后的访问时间，从数据I/O总线上有数据输出之前的一个时钟上升沿开始到数据传到I/O总线上止的这段时间；

t_WR：        Write Recovery Time,写回，保证数据的可靠写入而留出足够的写入/校正时间，被用来表明对同一个bank的最后有效操作到预充电命令之间的时间量；

BL：           Burst Lengths,突发长度，突发是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式，连续传输所涉及到存储单元（列）的数量就是突发长度(SDRAM)，在DDR SDRAM中指连续传输的周期数；

Precharge：L-Bank关闭现有工作行，准备打开新行的操作；

t_RP：          Precharge command period，预充电有效周期，在发出预充电命令之后，要经过一段时间才能允许发送RAS行有效命令打开新的工作行；

AL：        Additive Latency，附加潜伏期（DDR2）；

WL：       Write Latency，写入命令发出到第一笔数据输入的潜伏期；

t_RAS:       Active to Precharge Command，行有效至预充电命令间隔周期；

t_DQSS：  WRITE Command to the first corresponding rising edge of DQS，DQS相对于写入命令的延迟时间；

逻辑Bank

SDRAM的内部是一个存储阵列，要想准确地找到所需的存储单元就先指定一个（row）,再指定一个列（Column）,这就是内存芯片寻址的基本原理。

芯片位宽

SDRAM内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽，那么这个存储单元的容量就是芯片的位宽（也是L-Bank的位宽）；

存储单元数量=行数*列数（得到一个L-Bank的存储单元数量）*L-Bank的数量也可用M*W的方式表示芯片的容量，M是该芯片中存储单元的总数，单位是兆（英文简写M，精确值是1048576），W代表每个存储单元的容量，也就是SDRAM芯片的位宽，单位是bit；

DDR SDRAM内部存储单元容量是芯片位宽（芯片I/O口位宽）的一倍；

DDR2 SDRAM内部存储单元容量是芯片位宽的四倍；

DDR3 SDRAM内部存储单元容量是芯片位宽的八倍；

DDR4 SDRAM内部存储单元容量是芯片位宽的八倍。