DDR扫盲——关于Prefetch与Burst的深入讨论
首先，简单介绍一下Prefetch技术。所谓prefetch，就是预加载，这是DDR时代提出的技术。在SDR中，并没有这一技术，所以其每一个cell的存储容量等于DQ的宽度（芯片数据IO位宽）。【关于什么是cell（存储单元，可以去看一下，我之前的博文：http://blog.chinaaet.com/justlxy/p/5100051913 ）】
进入DDR时代之后，就有了prefetch技术，
发表于 8/15/2017 1:17:55 PM
阅读（67488）
DDR扫盲——single rank与dual-rank
一般来讲，一条内存总线的data宽度是64bits，也就是说总线上有64条道，每条道上一次传送1位数据。DIMM上的每个内存颗粒，提供4位、8位或者16位数据，来组成这64位数据(data word)。提供4位数据的芯片记作x4，提供8位数...
发表于 8/11/2017 2:38:46 PM
阅读（12743）
DDR3中的ODT动态模式详解
首先举一个例子：
早期的DDR（注：DDR2开始支持ODT功能），当向内存写入数据时，如果只有一条内存，那么这条内存就自己进行信号的终结，终结电阻等效为150Ω。如果为两条内存，那么他们会交错的进行信号的 终结。第一个模组工作时，第二个模组进行终结操作，等第二个模组工作时，第一个模组进行终结操作，但等效电阻为75Ω。当有三条内存的时候，三条会交替进 行信号终结，但等效电阻为50Ω。对于省略终端电阻
发表于 8/9/2017 11:14:14 AM
阅读（7544）
DDR3中的ODT同步模式详解
昨天简单介绍了一下DDR3的ODT的作用，今天来详细聊一聊ODT的几种操作模式，首先是ODT的同步操作模式，这也时使用最多，最常用的模式。http://blog.chinaaet.com/justlxy/p/5100051969
发表于 8/9/2017 10:14:43 AM
阅读（6076）
【转】DDR3中的Write_leveling
1）为了更好的提高信号完整性，DDR3存储模块采用了fly-by的拓扑结构。该拓扑应用于地址、控制、时钟线。Fly-by拓扑能有效减少stub的长度，但是较长的走线带来了CK-CK#与DQS-DQS#间的时延（由于CK-CK#的飞行时间，其...
发表于 8/8/2017 3:48:21 PM
阅读（4503）
聊一聊DDR3中的ODT
ODT（On-Die Termination），是从DDR2 SDRAM时代开始新增的功能。其允许用户通过读写MR1寄存器，来控制DDR3 SDRAM中内部的终端电阻的连接或者断开。在DDR3 SDRAM中，ODT功能主要应用于：
·DQ, DQS, DQS# and DM for x4 configuration
·DQ, DQS, DQS#, DM, TDQS and TDQS# for X
发表于 8/8/2017 3:15:56 PM
阅读（7659）
DDR3 SDRAM Package Pinout Description
DDR3 SDRAM Package Pinout Description
发表于 8/8/2017 10:05:57 AM
阅读（4105）
DDR扫盲——DDR3基础知识
Burst Length为固定的BC4和BL8，它们在“on the fly”能够和读命令或者写命令通过A12/BC引脚进行选择。
发表于 8/1/2017 1:53:55 PM
阅读（12889）
DDR扫盲——DDR与DDR2、DDR3的区别
DDR2与DDR的区别 1、速率与预取量 DDR2的实际工作频率是DDR的两倍，DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4bit预取能力。 2、封装与电压 DDR封装为TSOPII，DDR2封装为FBGA；DDR的标准电压为2.5V，DDR2...
发表于 8/1/2017 1:37:57 PM
阅读（12885）
DDR扫盲——DDR的特性分析
存储原理存储原理示意图：行选与列选信号将使存储电容与外界间的传输电路导通，从而可进行放电（读取）与充电（写入）。另外，图中刷新放大器的设计并不固定，目前这一功能被并入读出放大器（Sense Amplifier ,简称S-AMP）；
发表于 8/1/2017 12:37:38 PM
阅读（5624）
DDR扫盲——DDR中的名词解析
RAS： Row Address Strobe，行地址选通脉冲；CAS： Column Address Strobe，列地址选通脉冲；tRCD： RAS to CAS Delay，RAS至CAS延迟；CL： CAS ...
发表于 8/1/2017 12:25:37 PM
阅读（42394）
DDR扫盲——DDR的发展简史
DDR的种类：DDR SDRAM：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，双倍数据率同步动态随机存取存储器； DDR2 SDRAM：Double-Data-...
发表于 8/1/2017 11:25:53 AM
阅读（11193）
【转】LVTTL、LVCOMS、SSTL和HSTL接口简单介绍
LVTTL和LVCMOS（JESD8-5，JESD8-B）
SSTL（JESD8-8，JESD8-9B，JESD8-15）
HSTL（JESD8-6）
发表于 7/31/2017 10:43:48 AM
阅读（7828）
【转】I2C 关于时钟拉伸（clock stretch）问题
clock stretching通过将SCL线拉低来暂停一个传输.直到释放SCL线为高电平,传输才继续进行.clock stretching是可选的,实际上大多数从设备不包括SCL驱动,所以它们不能stretch时钟.
发表于 7/13/2017 2:43:11 PM
阅读（13944）
Wishbone总线周期之单次写操作
标准单次写周期12显示的是标准单次写周期的时序图。图12 标准单次写周期总线协议的执行流程如下：时钟上升沿0：·主机将有效地址置于ADR_O()和TGA_O()上；·主机将有效数据置于DAT_O()和TGD_O()上；·主机将WE_O置位，...
发表于 7/10/2017 3:10:02 PM
阅读（2138）
