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STM32F4驱动外部SRAM芯片XM8A51216

当前存储器和新兴非易失性存储器技术的特点

良好的设计是成功制造非易失性存储器产品的重要关键,包括测试和验证设备性能以及在制造后一次在晶圆和设备级别进行质量控制测试。新兴的非易失性存储器技术的制造和测试,这些技术将支持物联网,人工智能以及先进的网络开发和商业化,但首先让我们看一下当前...

32Mb高速低功耗异步SRAM

ISSI生产的32Mb高速低功耗异步SRAM,这种创新的设计加强了ISSI对具有最高质量和性能的SRAM的长期承诺。32Mb SRAM在汽车A3温度范围(-40°C至+ 125°C)下提供12ns的访问时间。 ISSI IS61 / 64W...