钜合新材发布无压烧结银SECrosslink H80C,实现8×8mm大尺寸芯片封装
0赞面对功率半导体模块日益增长的高功率密度需求,钜合(上海)新材料科技有限公司再次推出创新解决方案——SECrosslink H80C无压烧结银膏,为行业带来突破性的技术进展。
近日,钜合(上海)新材料科技有限公司正式发布SECrosslink H80C无压烧结银膏,该产品专为大尺寸芯片连接而设计,可支持最大8×8mm芯片的封装需求,解决了功率半导体模块向高功率、高密度发展过程中的关键技术难题。
SECrosslink H80C在裸铜框架上的卓越表现,为功率半导体制造商提供了更为经济和可靠的封装选择。
01 行业痛点:大尺寸芯片封装的连接挑战
随着电动汽车、可再生能源发电和工业电源等领域的快速发展,功率半导体模块正朝着更高功率密度、更高效率的方向演进。
芯片尺寸的增大成为必然趋势,然而这给封装技术带来了严峻挑战。
传统焊接材料已难以满足大尺寸芯片在热管理、连接可靠性方面的苛刻要求。
芯片尺寸的增加意味着更大的热应力集中,普通焊接材料在温度循环中容易产生疲劳裂纹,导致早期失效。
行业亟需一种既能提供优良热管理,又能确保长期可靠性的先进连接材料。
02 技术突破:SECrosslink H80C的无压烧结创新
SECrosslink H80C无压烧结银膏代表了钜合新材在封装材料领域的最新突破。
该产品通过在空气环境中实现无压烧结,显著简化了封装工艺,降低了对昂贵设备的需求。
与需要保护气体的传统烧结工艺不同,H80C的这一特性使制造商能够在现有生产线上轻松实现技术升级。
该材料专门针对裸铜框架设计,无需预镀银层即可实现可靠连接,为客户节省了可观的生产成本。
H80C的8×8mm芯片支持能力使其成为业内少数能应对大尺寸芯片封装挑战的先进材料之一。
03 性能优势:满足高可靠性应用需求
SECrosslink H80C在关键性能参数上表现卓越,能够满足最严苛的应用环境。
高导热性确保了芯片产生的大量热量被高效传导,避免了热点形成和性能退化。
卓越的剪切强度为芯片与基板间提供了牢固的机械连接,即使在极端温度循环下也能保持稳定性。
材料烧结后形成致密的银层,与裸铜框架形成冶金结合,确保了优异的电导率和长期可靠性。
这些特性使H80C特别适用于要求长寿命和高可靠性的应用场景,如新能源汽车主逆变器、光伏逆变器和工业驱动系统等。
04 应用前景:推动绿色能源发展
SECrosslink H80C的发布正值全球能源转型的关键时期,该产品有望在多个高增长领域发挥重要作用。
在电动汽车领域,H80C可用于主驱动逆变器的功率模块,帮助提高功率密度和能效,延长续航里程。
对于光伏发电,采用H80C封装的功率模块能使逆变器实现更高的开关频率和转换效率,降低系统成本。
工业电源和轨道交通领域同样受益于H80C提供的高可靠性连接,助力这些行业实现节能减排目标。
钜合新材的SECrosslink系列产品已通过全球多家领先半导体企业的验证,累计服务客户超过200家。
SECrosslink H80C无压烧结银膏的推出,不仅是材料科学的进步,更是对功率电子行业发展的有力推动。
随着越来越多的制造商采用这一创新解决方案,我们将见证更高效、更可靠的功率电子系统在各个领域的普及应用。
钜合新材通过持续的技术创新,正助力全球电子产业迈向更高效、更可靠的未来。

