传统上，为了在铜框架上使用烧结银技术，必须对铜表面进行预镀银或镀镍等处理。这么做的原因是：

防止氧化：铜在常温下极易氧化，形成氧化铜膜。这层氧化膜会严重阻碍烧结银与铜基材之间的冶金结合，导致连接强度差、热阻高。

促进烧结：洁净的银表面能与烧结银膏中的银颗粒更好地形成烧结颈，实现致密的冶金结合。镀银层提供了一个理想的烧结界面。

然而，预镀层工艺也存在明显缺点：

增加成本：电镀或化学镀工序增加了额外的材料和加工成本。

引入新的界面：镀层与基材之间的结合面本身也可能成为可靠性的薄弱环节。

环保压力：电镀过程涉及化学品，对环境治理要求高。

SECrosslink H82E 的技术价值所在

H82E能够在裸铜上实现卓越性能，意味着它很可能通过技术手段解决了上述难题，其技术价值体现在：

强大的还原能力：膏体中很可能含有温和而高效的还原剂，能够在烧结升温过程中，有效去除铜表面的氧化物，暴露出纯净的铜表面，从而实现银与铜的直接、牢固结合。

优异的界面反应：其配方可能优化了与铜的界面反应，促进了银-铜之间的原子扩散，形成了强力的冶金结合。

简化工艺流程，降低成本：

省去电镀步骤：为客户直接节省了镀层成本。

提升生产效率：减少了供应链环节和生产周期。

提升可靠性：消除了镀层与基材之间的潜在失效界面，理论上可以获得更稳定、更可靠的连接性能。

这与我们之前讨论的“设备需求”有何关联？

这款产品的成功，进一步印证了无压烧结技术的未来趋势：

对气氛控制的要求可能更高：为了在裸铜上实现完美的还原与烧结，可能需要与烧结炉内的保护气氛（如低氧含量的氮氢混合气）进行精确配合。

工艺窗口的优化：它的最佳烧结温度曲线（升温速率、峰值温度、保温时间）可能需要针对裸铜基材进行专门优化，以确保还原反应和烧结过程同步完美进行。

扩大了无压烧结的应用范围：使得无压烧结这种对芯片友好的技术，能够以更低的成本应用于最主流的铜框架上，加速其在碳化硅、氮化镓等功率器件封装中的普及。

总结

钜合新材料SECrosslink H82E的无压烧结银膏获得金奖，不仅是产品本身的胜利，更是技术路线和解决方案的胜利。它标志着无压烧结银技术在成本、性能和工艺简化方面达到了一个新的高度，为功率电子封装，特别是正在快速发展的碳化硅模块，提供了一个极具吸引力的 “降本增效” 的互联方案。

这对于器件制造商来说是一个利好消息，意味着他们可以在不牺牲性能的前提下，采用更简单、更经济的工艺来生产更高可靠性的功率模块。