钜合新材（Juhe advanced Material）

核心技术：

SECrosslink H80E芯片烧结银膏采用低温无压烧结技术，导热系数超100 W/m·K，剪切强度优异，适配现有产线且无需高压设备。

应用验证：已通过国内半导体头部企业测试并获首批订单，适用于碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体封装。

国产替代意义：打破国际垄断，性能比肩进口竞品，成本更具优势。

SECrosslink H80C无压烧结银膏采用独特的无压烧结技术，可匹配大尺寸芯片例如8*8mm chip，适用于镀金、镀银、PPF等框架。

SECrosslink H82E无压烧结银膏采用独特的无压烧结技术，可匹配大尺寸芯片例如8*8mm chip，可用于铜框架。

SECrosslink H87A无压烧结银膏采用独特的纳米银无压烧结技术，导热系数达到220W/mk，烧结后100%纯银含。

SECrosslink H87B无压烧结银膏采用独特的纳米银无压烧结技术，在150℃实现完美烧结，导热系数达到200W/mk，烧结后100%纯银含。