烧结银工艺“避坑”指南:常见缺陷分析与解决方案
0赞常见缺陷分析与解决方案
缺陷一:烧结层开裂或与芯片/基板剥离
现象:烧结后或在进行可靠性测试时,烧结层出现宏观裂纹,或从芯片/基板上整体脱落。
根源分析:
干燥应力过大:在溶剂挥发阶段(预热区),升温速率过快,导致表层迅速干燥结皮,内部溶剂汽化时顶破表层或产生巨大内应力。
热失配应力:银膏的烧结收缩率与芯片/基板不匹配,在冷却过程中产生巨大的拉应力。
界面污染:芯片或基板表面有氧化物、有机物污染,导致界面结合力先天不足。
解决方案:
严格控制升温速率:在100-200℃的有机物挥发关键区间,将升温速率降至 1-5℃/分钟。这是避免开裂的最有效措施。
优化烧结曲线:增加一个或多个低温保温平台(如120℃、150℃),让溶剂和低分子聚合物有充足时间平缓地逸出。
保证界面清洁:对芯片和基板进行严格的等离子清洗(O₂/Ar)或超声清洗,确保表面能高且无污染。
缺陷二:孔隙率过高、不致密
现象:烧结层表面粗糙,内部存在大量孔隙,导致导热、导电性能不达标。
根源分析:
有机物残留:烧结温度不足或时间不够,导致高分子粘合剂未能完全分解碳化,留下气孔和碳渣。
颗粒快速团聚:升温过快,纳米颗粒在未完成致密化排列前就过早烧结,将孔隙“锁”在内部。
气氛不当:在空气中烧结,某些有机物燃烧不充分。
解决方案:
确保“有效烧结温度和时间”:不仅要达到设定温度,更要确保在峰值温度下有足够的保温时间(如250℃下30-60分钟),让银原子充分扩散和孔隙收缩。
使用还原性气氛:在氮氢混合气(如N₂ 95% + H₂ 5%) 中烧结。氢气能有效还原银表面氧化物,并促进有机物分解为水和碳氢气体而挥发。
优化膏体印刷/点胶:避免涂覆过厚,厚膜在干燥过程中更容易因溶剂挥发不均而产生孔隙。
缺陷三:烧结层均匀性差(空洞、变色)
现象:烧结层表面颜色不均,出现深色斑点或宏观空洞。
根源分析:
银膏涂布不均:印刷/点胶时产生气泡或厚度差异。
“咖啡环”效应:在干燥过程中,边缘的溶剂挥发更快,带动银颗粒向边缘迁移,导致中间薄、边缘厚。
局部污染:基板上有局部污渍,导致该处银膏无法良好铺展和烧结。
解决方案:
优化涂覆工艺:采用离心脱泡、调整膏体流变学参数(粘度、触变性)以减少气泡。对于印刷,优化网版设计和刮刀压力。
改善干燥方式:采用真空干燥或阶梯式缓慢干燥,可以有效抑制“咖啡环”效应。
加强基板清洁与表面处理:确保基板表面能均匀一致。
缺陷四:银膏“飞边”或污染焊盘
现象:烧结后,银膏溢出预定区域,污染了周边的电气绝缘区域或键合焊盘。
根源分析:
膏量过多:点胶量或印刷量超出设计范围。
放置压力过大:在芯片贴装过程中,施加的压力过大,将膏体挤压出来。
膏体流变性不佳:膏体粘度太低,在芯片放置后自身铺展过度。
解决方案:
精确控制膏体用量:通过实验确定最佳体积,并严格控制工艺参数。
优化贴装压力:使用“零贴装压力”或极小压力的贴装方案,依靠膏体自身的粘接力暂时固定芯片。
选择合适粘度的产品:与供应商沟通,选择适用于特定应用场景(如细间距芯片)的高粘度型号。
缺陷五:性能衰减快(可靠性失效)
现象:初始测试性能良好,但经过温度循环或高温存储后,热阻上升,出现失效。
根源分析:
潜在裂纹:初始烧结层存在微观裂纹,在热应力下扩展为宏观裂纹。
界面氧化:如果烧结层不致密,在高温下氧气可能侵入界面,导致结合力下降。
孔隙率过高:高孔隙率在热循环中会成为应力集中点,加速疲劳失效。
解决方案:
从根源上确保致密性:遵循前述所有低孔隙率烧结的工艺规范。
进行严格的工艺可靠性验证:通过声学扫描显微镜、X-ray、热阻测试等手段,在量产前充分评估烧结层的质量。
确保封装的气密性:对于要求极高的应用,考虑整体封装的气密性保护,杜绝外部环境的影响。
总结:烧结银工艺成功“避坑”清单
为确保成功,请将以下清单作为您的工艺准则:
清洁是基石:确保所有接触表面(芯片、基板、工具)绝对洁净。
曲线是灵魂:摒弃简单粗暴的快速升温曲线。设计并严格执行一个“缓慢升温、阶梯保温”的烧结温度曲线。
气氛是助手:尽可能使用含氢气的还原性气氛,它能帮你解决很多隐形问题。
压力是敌人:牢记无压烧结的初衷,避免在贴装时施加不必要的压力。
质量需前置:通过过程控制(如膏体体积、放置精度)来保证质量,而非事后筛选。
验证要充分:借助各种无损检测和可靠性测试,亲眼看到烧结层内部的真实情况。
遵循这份指南,您将能最大限度地发挥SECrosslink等先进烧结银产品的性能优势,绕开常见的工艺陷阱,实现高可靠、高性能的半导体封装制造。

