4200项目：PulseIV-Complete
PulseIV-Complete项目对于脉冲校准和“4terminal-n-FET”设备下的7主要测试有几个初始化步骤。此项目允许直流和脉冲IV扫描之间的比较。这7个主要测试包括3个测试对。每对的第一个测试是直流IV扫描，第二个测试是脉冲IV扫描。第一对是Vgs-id，第二对是Vgs&ndas
发表于 12/12/2011 11:40:18 AM
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4200脉冲IV测量CMOS晶体管系统配置
4200-PIV[1]包在4200-SCS[2]主机更高编号的插槽中增加了2个卡，如图2所示。此外，脉冲IV的互连也显示在图2和3中。图2.PIV的连接图图3.4200-SCP2侧视图。4200-SCP2[3]连接的适配器细节显示了示波器通道输入的BNC到SMA的适配器，和触发输入SMB到SMA的适配器&n
发表于 12/9/2011 11:47:34 AM
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4200脉冲IV测量CMOS晶体管测试开始
在测试开始时，被测设备（DUT）的漏极由SMU2产生偏置，并等待门极脉冲开通晶体管产生漏极电流Id。A：门极电压脉冲：这个波形是4200-PG2[1]通道1的输出。除了一些小的电缆损失外，它的幅值与DUT门极（C）看到的相同。需要注意的是波形上没有直流偏移，这是因为任何
发表于 12/8/2011 10:39:15 AM
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4200脉冲IV测量CMOS晶体管工作原理
通常而言，4200-PIV[2]给门极施加一个脉冲，同时直流偏置漏极。源和本体均连接到地线/屏蔽层上。双通道示波器（4200-SCP2）测量门极和漏极电压。漏电流是通过计算示波器的50ohm两端（图1a，SCP2通道2的Rsense）的电压降得到的。为了提供信号截图并显示设置不同的
发表于 12/7/2011 11:42:18 AM
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4200脉冲IV测量CMOS晶体管的目标应用和测试项目
4200-PIV[1]包涵盖解决最常见参数晶体管测试的测试项目：Vds–id和Vgs-id。这两个测试提供直流和脉冲两个模式，允许两种测试方法之间的相关性，并已配置用于前沿、低功率CMOS器件的测试。这些测试连同自动校准和电缆补偿的初始化步骤，包括在单4200测试项目，脉冲I
发表于 12/6/2011 11:35:38 AM
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4200-PIV脉冲IV包简介
什么是脉冲IV脉冲IV[1]为用户提供了使用脉冲而非直流信号在设备上运行参数曲线扫描的能力。带相应脉冲测量的脉冲源的使用，通常有两种方法。第一种方法提供类似直流的参数测试，此种方法中测量发生在脉冲的平坦稳定部分。典型的测试是IV扫描，如曲线的Vds-Id系列
发表于 12/5/2011 4:13:44 PM
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利用6517A型对高值电阻进行测量的总结
利用吉时利6517A型静电计，可以在高达1000V的高压下实现低噪声（未滤波1fAp-p）电流测量。利用精心设计的测量室和质量优良的绝缘体[1]，可以完全避免漏电流，精确测量高达1017W的电阻。如果温度稳定性优于0.1K，那么在温度依存性测量或光电导率测量期间，可以维持这个测
发表于 12/2/2011 2:05:02 PM
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6517A型静电计/高阻表对高值电阻测试的系统安全性
在使用尺寸较小的样本进行测量时，电极之间有可能发生电气短路或击穿。为了防止出现过高电流，应当在电路中设置保护电阻，将电流限制在1mA以下。许多电子测试系统或仪器能够测量或灌入危险电压和功率电平。在单一故障（如编程错误或仪器故障）情况下，及时系统显示没有
发表于 12/1/2011 2:16:45 PM
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6517A型静电计/高阻表的光电效应
在比某种材料波长较短的波长范围里，光能足以激发电子从电极材料发射。这将导致电极之间气体的离子化，提供导电路径。如果在高真空中进行测量，这些电子将产生额外电流。为了避免这些效应，选择的照明波长应当大于光电效应阈值波长。对于镓来说，这个波长是295nm。Atwav
发表于 12/1/2011 11:53:40 AM
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惰性气体或高真空中的小型晶体高值电阻温度稳定性2
在许多晶体中，电偶极子[1]以首选的红色方向排列，形成一个带电表面。在热膨胀期间，表面电荷移动，从而带来热释电效应。当光闸开启（使温度增加）或关闭（使温度降低）时，会出现极性相反的电流峰值。Inmanycrystals,electricdipolesareorderedinapreferreddirection,r
发表于 11/29/2011 12:19:48 PM
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惰性气体或高真空中的小型晶体高值电阻温度稳定性1
测量系统的温度变化将带来热膨胀，从而改变电容[1]，在电流中引入额外噪声。如果在环境温度（不加热也不冷却）下进行测量，在测量期间系统温度一般是足够稳定的。不过，如果需要与温度有关的测量，那么温度稳定性应当优于0.1K。Temperaturechangesinthemeasurementsyste
发表于 11/28/2011 5:08:54 PM
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利用6517A对惰性气体或高真空中的小型晶体高值电阻测量的典型误差来源
屏蔽与防护为了降低静电干扰，利用具有地电位的导体包围样本和线缆（屏蔽）。为了防止漏电流影响测量，利用具有同样电势的导体对至静电计[1]输入端的连接进行包围（防护）。测量电流时，需要将防护装置连接至电压源的LO端。在高真空系统（真空室）中，它通常接地，起到
发表于 11/24/2011 4:15:43 PM
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小型晶体高值电阻进行测量的样本安装
在测量尺寸较小样本时，样本安装基底可能会成为测量误差的主要来源，这是其体积和表面电阻率造成的。通过（可能被污染的）基底表面阻止漏电流[1]的方法是，使用两个分开的绝缘片，而不是将样本放置在一个绝缘片上。为了简化对不同尺寸小型样本的测试，安装硬件应当包括
发表于 11/23/2011 11:59:41 AM
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利用专门设计的测量室和分子束沉积(MBD)系统测量高电阻的方法与技术
接触晶体各向异性的测量通常需要在多个方向对晶体进行接触，与晶体轴[1]平行和垂直。因此，研究人员要求材料在测量时必须能够实现可靠的电子接触，而且测量后必须能够迅速清除，不在样本表面遗留污染物。常见的粘贴材料（如导电性银胶或导电性碳黑）具有粘贴良好的特性
发表于 11/22/2011 9:59:05 AM
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高电阻测试系统配置
我们选择使用6517A型静电计/高阻表作为这些测试配置的测量仪器，因为它能提供飞安级灵敏度，并具有综合可编程的1000V电压源。低噪声三芯同轴转接电缆将静电计[1]连接到测量室(充满惰性气体)或分子束沉积(MBD)超高真空系统。这两个装置都包括照明样本的窗口，利用激光束
发表于 11/21/2011 10:08:37 AM
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