低功率纳米技术及其它敏感器件的交流与直流测量方法的比较——直流反转测量法
锁定放大器的一个替代方法是在电流信号上使用直流极性反转[1]的方法来消除噪声。这是消除偏移[2]和低频噪声[3]的一种完善技术。当今的直流源和纳伏表在降低噪声源的影响和缩短实现低噪声测量的时间方面都要显著优于锁定放大器。如图2所示，首先简单的为测试对象提
发表于 9/15/2011 12:12:59 PM
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低功率纳米技术及其它敏感器件的测量系统——锁定放大器测试法
在敏感伏安特性和电阻值的测量中，测试装置通常由两部分组成：电流源以及电压测试装置。研究人员使用锁定放大器测试法时一般选择传统电源，因为精密交流电流源在这里无法简单使用。锁定放大器[1]测试法。锁定放大器可以用来测量微小交流信号，有时可达纳伏[2]级。通过使
发表于 9/14/2011 2:23:40 PM
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低功率纳米技术及其它敏感器件的测量技术及误差源 II
外部噪声源[1]通常是马达、电脑显示屏或其它电子设备产生的干扰信号。这些噪声可以通过屏蔽和滤波、去除或关断噪声源来得到控制。这些噪声[2]源通常在电力线频率上，因此在进行锁定测量时，测试频率应避开60Hz（50Hz）的倍数或分数倍。在直流反转技术中，使得每次测量都
发表于 9/13/2011 4:04:15 PM
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低功率纳米技术及其它敏感器件的交流与直流测量方法的比较--测量技术及误差源- I
保证精确低功率测量的关键是尽可能的降低噪声。在许多低功率测量中，一种通用的技术是使用锁定放大器为测试对象提供小的交流电流，然后测量其上的电压降。另一种替代方法是使用直流反转技术。这两种方式都需要考虑并控制多种误差源。约翰逊噪声（热噪
发表于 9/9/2011 3:01:28 PM
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如何减少HBLED测试误差
多个HBLED器件的测试老炼（burn-in）等应用需要对多个器件同时进行测量。结的自加热[1]是HBLED生产测试中最主要的误差源之一。随着结温不断升高，电压降，或者更重要的是，漏电流，也随之上升，因此如何最大限度缩短测试时间就极为重要。智能测试仪器可以简化对器
发表于 9/7/2011 3:57:08 PM
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单器件的LED测试系统
元器件操控器将单个HBLED（或者一组HBLED）运送到一个测试夹具上，夹具可以屏蔽环境光，且内带一个用于光测量的光电探测器（PD）[1]。需要使用两个SMU：SMU#1向HBLED提供测试信号，并测量其电响应；SMU#2则在光学测量过程中检测光电探测器。测试程序
发表于 9/5/2011 2:18:08 PM
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关于高亮度LED测试基础知识加油站 II
漏电流测试当施加一个低于击穿电压的反向电压时，对HBLED两端的漏电流[1]（IL）的测量一般使用中等的电压值。在生产测试中，常见的做法是仅确保漏电流不不至于超过一个特定的阈值。提升HBLED的生产测试的吞吐率过去，HBLED的生产测试的所有环节都由单台PC来控制。
发表于 9/2/2011 4:19:50 PM
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关于高亮度LED测试基础知识加油站 I
正向电压测试要理解新的结构单元材料，如石墨烯、碳纳米管[1]、硅纳米线[2]或者量子点，在未来的电子器件中是如何发挥其功效的，就必须采用那些能在很宽范围上测量电阻、电阻率、迁移率和电导率的计测手段。这常常需要对极低的电流[3]和电压进行测量。对于那些力图开发
发表于 9/1/2011 2:04:52 PM
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如何从器件基本特性入手开展精确、成本经济的高亮度LED测试
吉时利专家邀请您首先了解“高亮度LED测试(HBLED)”高亮发光二极管（Highbrightnesslightemittingdiodes，HBLED）综合具备了高输出、高效率和长寿命等优势。制造商们正在开发可以实现光通量更高、寿命更长、色彩更丰富而且单位功率发光度更高的器件。要确保其
发表于 8/30/2011 11:30:42 AM
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纳米测量最优解决方案
本文仅仅探讨了纳米技术[1]的多种应用中的少数几个，以及需要更为深入地理解所研究的器件和材料时必须采用的测量方法。每天，各研发实验室都诞生各种新的思想和创新点。随着新点子的出现，人们也需要各种新的、不同的测量手段。例如，研究者们感兴趣的是，如何在测量材
发表于 8/29/2011 10:01:19 AM
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纳米电测量的实例分析II
为了对这里所示的三种示例进行I－V特性测试，我们建议使用各种不同的商用I－V特性测试工具。有些源－测量一体单元还可以更低的成本提供相同的测试功能，从而提供了一个紧凑的、单通道的DC参数测试仪[1]的功能度。半导体纳米线被视为一种实现纳米电子元器件[2]（如
发表于 8/26/2011 11:00:36 AM
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纳米电测量的实例分析I
碳纳米管的特性使得它们成为一种出色的电子元件材料[1]。图6示出了FET结构所使用的碳纳米管[2]。为了发现器件的I－V特性曲线[3]，建议采用有弱电流测量[4]功能的仪器。一种可用的典型仪器是信号源－测量一体化单元（SMU），它可以输出电压或电流信号，并分别对电流或者
发表于 8/25/2011 11:20:21 AM
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纳米测量与DUT的电连接的秘密
为了与纳米器件[1]或者元件实现电接触，必需提供相应的夹具、显微镜和探针系统[2]。当今的纳米研究者正在使用诸如原子力显微镜、扫描电子显微镜和聚焦离子束工具等手段来实现器件的可视化、对其执行机械测量并进行I－V特性测量[3]。要实现微米和纳米尺度上的研发、甚至
发表于 8/24/2011 1:39:31 PM
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温度对纳米测量的影响是什么？
热电压或者EMF是低电压测量[1]中最常见的误差源。如图5所示，当电路的不同部分处于不同的温度时，以及由不同材料构成的导体连接到一起时，就会产生这些电压。表中列出了各种材料相对于铜的Seebeck[2]系数。图5：当电路的不同部分处于不同温度以及由不同的材
发表于 8/23/2011 4:58:19 PM
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纳米测量中屏蔽罩的重要作用
电缆的不当使用会造成测量时间过长的问题。共轴电缆提供了一个传输信号的内导体和屏蔽。内导体和屏蔽之间存在着可供漏电流流过的旁路电阻和电容通路[1]（图4）。除了作为漏电流的通路之外，旁路的R和C还构成了一个RC电路，该电路将大大放慢弱电流或者高电阻测量的速度，
发表于 8/22/2011 2:20:33 PM
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