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纳米测量电流误差解决方案

其他应对移动和振动[1]问题的解决方案包括:•除去振动源或者与振动源间在机械上解耦。电机、水泵和其他机电装置都是常见的振动源[2]。•稳定整个测试环境。保证电子元器件、导线和电缆的稳固安装或者捆绑固定。屏蔽[3]应该保证稳定。其他相互接触的绝缘

纳米测量电流误差来自哪里?

要测量弱电流,就必须理解各种潜在的误差源[1],这些误差会造成人们所不希望出现的测量误差[2]。影响多种类型的纳米电子器件的测量结果的两种极为常见的误差源是摩擦生电效应和电化学效应(图2)。图2:导体和绝缘体之间的摩擦所产生的电荷将引发所谓的摩擦生电[3

纳米测量中学习曲线和灵敏度/分辨率的挑战

仪器操作中繁琐的编程[1]工作以及神秘的种种细节会分散工作繁重的研究者的精力。许多电特性测量工具[2]都极为复杂,而且它们的数据传输机制极为冗琐,需要大容量的存储介质。图形分析所花费的时间也过长。学习和编程设定的工作会占用本来应该用于研究的时间。仪器

纳米测量的基本原理

对纳米元器件的电测量——电压、电阻和电流——都带来了一些特有的困难,而且本身容易产生误差。研发涉及量子水平上的材料与元器件,这也给人们的电学测量工作带来了种种限制。在任何测量中,灵敏度的理论极限是由电路中的电阻所产生的噪声来决定的

纳米电测量中存在的挑战

研究者们在试图进行灵敏的测量之前,还必须理解一些纳米电测量中存在的挑战。这些挑战包括:•测量的基本原理[1]•学习曲线•灵敏度与分辨率•误差源[2]•电缆、连接与探针•计测标准日后的文章中我们将更为细致地讨论这些问题,然后就一

纳米电测量中存在的挑战

研究者们在试图进行灵敏的测量之前,还必须理解一些纳米电测量中存在的挑战。这些挑战包括:•测量的基本原理[1]•学习曲线•灵敏度与分辨率•误差源[2]•电缆、连接与探针•计测标准日后的文章中我们将更为细致地讨论这些问题,然后就一

纳米技术所需的电测量方法— 概述

具有广泛且多样化应用的纳米科学技术[1],推动着研究者不断运用碳纳米管[2]、化学分子、量子点、甚至聚合物研发出新的材料和元器件。对这些纳米尺度的元器件与材料进行的特性测量远非轻而易举,因为其中许多具有低电流、低电阻[3]、高电阻和低功率等电特性。这篇

超快I-V源和测量技术的应用

超快I-V源和测量技术随着越来越多传统直流I-V测量功能的消失而迅速发展。注意到,传统SMU设计[1]能够提供和测量最高约1A的电流,最低约1皮安的电流。尽管增加远程前置放大器后最低可以解析0.1fA的电流信号,但是这些只支持直流I-V测量的系统配置最佳速度仅为10毫秒。相

最新一代的超快I-V测试系统参数分析仪

最新一代的参数分析仪可以通过配置最大限度减少或消除很多与内部构建的BTI特征分析系统相关的缺陷。它们不是采用分离的脉冲或波形发生器与示波器,而是将这些功能组合在支持紧密时序协同的高速源与测量模块中。由于这些模块与参数分析仪[1]完全集成在一起,所以它们可以

超快I-V测试系统面临的挑战

波形发生[1]。标准脉冲发生器和任意波形发生器的设计是在固定循环间隔上产生波形,而不是大多数可靠性测试(包括NBTI和PBTI测试)所需的Log(time)数。测量定时与数据存储。尽管示波器[2]经过配置可以根据波形特征(例如下降沿)进行触发,但是它们无法有选择地保存波

展望下一代超快I-V测试系统

要想成为主流测试技术,下一代超快I-V测试[1]系统必须具有很宽的源与测量动态量程。这意味着它们必须能够提供对闪存器件进行特征分析所需的充足电压,以及处理最新的CMOS[2]工艺所需的足够低的电压。例如,对于CMOS工艺中的一种嵌入式闪存——该闪存可能需要

I-V测量技术的发展

与直流电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测量一样,超快I-V测量[1]能力对于特征分析实验室中所有负责开发新材料、器件[2]或工艺的所有技术人员正变得越来越必要。进行超快I-V测量需要产生高速脉冲波形[3]并在待测器件发生松弛之前测量产生的信号。高速I-V测试的早期实

C-V测量技术、技巧与陷阱——C-V测量误差II

线缆长度补偿是一种经常被忽视的校正技术。它是针对仪器厂商提供的某些特殊线缆进行相位偏移校正的。交流信号沿着线缆传输需要一定的时间,其在测量结果上产生的相位偏移正比于线缆长度和传输延迟。注意,交流阻抗表测量的实际上是阻抗和相位,因此线缆导致的任何相位偏

C-V测量技术、技巧与陷阱——常见C-V测量误差 I

偏移[1]和增益误差[2](如图7所示)是C-V测量中最常见的误差。X轴以对数标度的方式给出了电容的真实值,大小范围从皮法到纳法。Y轴表示系统实际测量的值,包含测量误差。如果测量系统是理想的,那么所测出的值将与真实值完全匹配,可以画成一条具有45度角的直线,如图7

C-V测量技术、技巧与陷阱——C-V吉时利全新接线技术

将屏蔽层连接在一起屏蔽层&nbs