C3M0065090D相关介绍
C3M0065090D相关介绍特征·新型C3M SiC MOSFET技术·高阻断电压，低导通电阻·低电容的高速开关·具有低反向恢复的快速本征二极管（Orr）·无卤素，符合RoHS标准优点·更高的系统效率·降低冷却要求·功率密度增加·提高系统...
发表于 2019/8/1 16:41:14
阅读（817）
