从电动汽车到航空航天，一种名为无压烧结银膏的新型电子材料正在悄然重塑高端制造业的可靠性标准。

在上海刚刚落幕的PCIM Asia电力电子展上，钜合新材料公司展示的银烧结技术成为全场焦点，其创新的SECrosslink 银烧结封装平台为解决功率半导体封装瓶颈提供了全新解决方案。

钜合新材料科技有限公司推出的SECrosslink H80E、H87A等系列无压烧结银膏产品，正推动这一先进材料在多个高端制造领域的应用边界。

01 技术突破：无压烧结银膏引领封装革命

随着电子设备向高性能、小型化、高可靠性方向发展，传统焊接材料已难以满足新一代功率半导体的封装需求。

无压烧结银膏通过纳米银粉在低温下烧结，形成纯银连接层，热导率可达200-266W/mK，是传统焊料的数倍。

这项技术的关键在于低温烧结与高可靠性的完美结合。

钜合新材研发的无压烧结银膏SECrosslink H87B烧结温度可低至150℃，烧结后的接头强度达到30MPa以上，解决了高温对GaN、SiC等宽禁带半导体的损伤问题。

无压烧结银膏已成为功率半导体贴片应用的理想选择。它不含铅，符合RoHS规范，具有高热导率，支持175°C以上的工作温度，确保了器件在极端环境下的稳定性。

02 应用场景：六大领域彰显技术价值

电动汽车：随着800V高压平台与碳化硅功率器件的快速普及，电动汽车对电驱系统的效率及可靠性提出了更高要求。

无压烧结银膏可用于碳化硅功率模块，有效提升散热效率及可靠性。

光伏与储能：在光伏逆变器和储能系统领域，较高的功率密度总是伴随着较高的工作温度，同时还需要改善器件的耐久性能。

无压烧结银膏是传统焊锡膏的高效方案，可将器件的寿命延长10倍。

射频通讯：无压烧结银膏适用于射频通讯、光电传感等场景，其热导率测试可达130W/mK以上，确保了高频环境下信号的稳定传输。

高端LED：钜合新材料公司的H80E无铅烧结银系列可适用于半导体应用，这些产品可适用印刷或点胶工艺，可以在引线框架和LED封装应用中确保更高的热导率。

航空航天：在航空航天领域，无压烧结银膏凭借其耐高低温冲击和湿热老化性好的特性，为关键电子设备提供了可靠的连接保障。

智能手机快充：随着快充技术的普及，手机充电器内的功率器件对散热提出了更高要求。无压烧结银膏能有效解决高功率器件的散热问题。

03 产品矩阵：SECrosslink系列满足多元需求

钜合新材推出的SECrosslink系列无压烧结银膏产品，针对不同应用场景提供了专业解决方案。

SECrosslink H80E是一款低温无压烧结银，具有高导热系数、高粘接强度、高导电性、无孔洞、无分层、高可靠性等特点，适用于镀银、镀金和PPF等框架。

该产品导热系数达100W/m·k，专为第三代半导体芯片封装设计。

SECrosslink H87A是一款无压低温烧结型高导热纳米银胶，专用于第三代半导体芯片以及大功率LED芯片的封装。

其导热系数高达220W/m·k，玻璃化温度达210℃，储能模量为22，100MPa，表现出卓越的机械强度和热稳定性。

H82E和H82C作为系列补充，针对特定应用场景优化了烧结温度和流动性，满足自动化生产设备的工艺要求。

04 市场前景：材料创新驱动产业升级

无压烧结银膏的规模化应用面临银粉成本高、工艺一致性等挑战。但其带来的性能提升使得越来越多的行业领导者开始采纳这一技术。

英伟达H100 GPU采用银膏3D堆叠封装，算力密度突破60 TOPS/mm³，散热效率提升3倍。

这一成功案例证实了无压烧结银膏在高端芯片封装中的价值。

钜合新材的无压烧结银膏SECrosslink H82C成功获得世界知名电子制造商的订单，标志着中国在该领域的技术实力得到了国际认可。

随着电动汽车、光伏储能等绿色能源产业持续高速发展，无压烧结银膏有望在未来几年内实现更广泛的市场渗透。

无压烧结银膏技术的成熟不是终点，而是起点。

随着SECrosslink系列产品的不断升级，以及行业对高可靠性封装需求的增长，这一技术有望在半导体领域发挥更为关键的作用。

材料创新的征程才刚刚开始——下一代银膏产品正在向着更低的烧结温度、更高的导热性能和更简化的工艺方向迈进。