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WIZnet员工SQL Server 2008培训笔记(二)

前面一节,我们给打击分享了WIZnet员工SQLServer2008培训笔记(一),点击这里(http://blog.chinaaet.com/detail/26858.html)大家可以阅读第一部分,今天我们继续给大家分享更多WIZnet员工SQLServer2008培训笔记,希望大家喜欢。1.导入Excel数据成功创建数据库后,我
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BF533实现了PS2键盘的中断函数

#include"dm_bf5xx.h"#include"dm_types.h"volatileuint8_tkey;volatileuint8_tkey2;volatileuint8_tkey3;volatileuint8_tkey_up;staticint_ttime;/*****************************************************************************名称:EX_
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BF533实现CF卡读写校验功能

#include"cdefBF533.h"#include"ccblkfn.h"#include#include"dm_bf5xx.h"#include"dm_cpu.h"#include"dm_types.h"volatileuint_tdecLow,decHigh;externint_tSanFileCont;uint16_tBoot_Sector[256];uint16_tW_S
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BF533实现CF卡的读写扇区和设备检测等功能

#include"dm_bf5xx.h"#include"dm_types.h"uint16_tDBR_Buff[256];uint16_tDrive_Info[256];externuint16_tBoot_Sector[256];/*****************************************************************************名称:Read_Sector_CF*功能:按
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BF533实现CF卡的各种状态请求功能

#include"dm_bf5xx.h"/*****************************************************************************名称:CF_Soft_Reset*功能:复位CF卡*入口参数:无*出口参数:无****************************************************************************
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北京轨道交通展图片报道

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北京物联网博览会图片报道

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北京车展图片报道

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单片机控制板设计原则

(1)尽量在关键元件,如ROM、RAM等芯片旁边安装去耦电容。实际上,印制电路板走线、引脚连线和接线等都可能含有较大的电感效应。大的电感可能会在Vcc走线上引起严重的开关噪声尖峰。防止Vcc走线上开关噪声尖峰的唯一方法,是在VCC与电源地之间安放一个0.1uF的电子去耦
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CC3000 SPI接口编程介绍

CC3000SPI操作:CC3000的SPI是基于五根线CLCK,CSn,IRQ,MISO,MOSI;通信模式如下图:CLCK:时钟频率0-26M从主机到从机,提供SPI接口时钟CSn:低电平激活从主机到从机,指示主机想和CC3000设备通信MOSI:数据线,从主机到从机IRQ:中断信号,来自从机,当没有数据传输
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高性能示波器专家Pavel Zivny谈高速通信面临的挑战

图一:PavelZivny,泰克公司高性能示波器事业部的专家工程师现在100G的工业标准上有两大阵营:一大阵营是以太网标准;另一大阵营是长距离光传输标准。在100G以太网上其实和低速标准的区别不是太大,是通过4路25G信号的复用来实现的,成本相对低廉一些
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利用大功率数字源表构建多源测量单元(SMU)系统(连载二):选择连接待测器件与仪器的电缆和夹具1

确定器件接口过去,大多数功率半导体制造商为了测试不得不对器件进行封装,因为当时对晶片上器件施加数十或数千伏电压的技术尚未广泛使用。商用探测器解决方案的应用使得诸多制造商可以对晶片上器件进行测试,从而降低了测试成本。有关封装器件或晶片上器件测试的
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【转】硬件工程师电路设计必须紧记的十大要点

如果每次的原理图设计,都能仔细的核对,想必将会提高产品设计的成功率、减少更改次数、缩短设计周期……
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谁还记得这段路是如此漫长(转)

今天我去了一家银行,见到公司以前的客户经理。我记得刚刚见她的样子,在一个老客户经理的身后,眨着眼睛盯着我,然后递过来名片。那时我才来不久,还在做着出纳。我只能挠挠头说,我没名片。她说没事没事,然后偷偷跟我说,我也刚来,就来看看。&nbs
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Vishay 推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标

Vishay推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标D系列MOSFET采用高压条带技术,使效率和功率密度达到新的水平宾夕法尼亚、MALVERN—2012年5月3日—日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推