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模块间接口设计不匹配引起的问题

如果没有一个技术能力很强的集成者,往往在模块间容易出现设计上的错误。这种情况是灾难性的,双方都是在需求文件上设计出来的东西,但是由于集成者的问题,这方面往往变成模糊设计或者假定设计,然后就会出现很多问题。如下:甲方的设计如下,假定输出信号的通断的内阻
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设计模块的高有效接口电路

同样的对于高有效电路,我们也会遇到这样的情况:1.一个开关有几个模块去检测(高有效)2.一个模块对应几个开关(高有效)3.模块之间输出信号(高有效)4.存在串联开关的情况(高有效)同低有效电路一样以下也需要注意的1.开关模型开关断开电阻开关断开的时候的等效电阻。开关闭
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设计模块的低有效接口电路

我们总能遇到这样的情况:1.一个开关有几个模块去检测(低有效)2.一个模块对应几个开关(低有效)3.模块之间输出信号(低有效)4.存在串联开关的情况(低有效)1.开关模型开关断开电阻开关断开的时候的等效电阻。开关闭合电阻开关闭合时候的等效电阻,随时间增加可能变大。开关
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确认MCU的IO口在RESET时的状态

曾经看到这样一个问题,(我在好几个厂家的QualityIssue中记录这个问题)。起因是这样的,MCU在Reset的时候,某个输出的状态是微上拉的,第一次设计的时候考虑到了问题,因此在FET之前接了一个下拉电阻,第二次CTO的时候把这个电阻删除了,因此问题就出现了。这个问题在
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反激DCM模式RCD参数计算

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一则CMOS电路设计问题

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Snubber 电路论文整理

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Mentor CEO:IC设计费用高达1亿美元

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反激开关过程和RCD电路的影响(仿真结果)

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英国推出用舌头来“看”世界仪器

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控制双机器人系统,向中风患者提供上肢治疗运动

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模拟电路设计失误两则

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RCD吸收电路的影响和设计方法(定性分析)

10月29日修改上篇博文主要分析未进行保护的反激电源开关过程分析,这回主要介绍RCD电路的影响。先分析过程:对应电路模型:我们可以定性的分析一下电路参数的选择对电路的暂态响应的影响:1.RCD电容C偏大电容端电压上升很慢,因此导致mos管电压上升较慢,导致mos管关断
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反激式电源的开关过程分析

关于这个论题很多人已经给出了它们的分析,不过呢寥寥几句有时候带给人更多的是疑惑和迷茫。参考了一些论文和分析,把我个人对这个问题的分析表述出来,可能和设计的分析会有一些误差,不过提出一个大家看得懂的问题总是比努力去看懂一些生涩的文字要好些(这里说明一点
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功率变压器模型

在分析Flyback电路之前,我觉得有必要把变压器模型做一个总结,因为我们对变压器的分析其实是在一定的模型上面进行分析的。这里阐述我的一个观点,如果说实际测试和实验是非常重要的话,对分析对象有一个清晰的模型概念对电子工程师来说是非常必要的,建立的模型的目的