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MOS管驱动基础和时间功耗计算

我们先来看看MOS关模型：Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的
yulzhu
发表于 2010/3/22 下午3:57:24
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MOS管驱动变压器隔离电路分析和应用

今天在研究全桥电路，资料和书上谈到的，大多数基于理想的驱动器（立即充电完成）。这里花一些篇幅把MOS管驱动的来龙去脉搞搞清楚。预计要分几个篇幅：1.MOS管驱动基础和时间功耗计算2.MOS管驱动直连驱动电路分析和应用3.MOS管驱动变压器隔离电路分析和应用4.MOS管网上
yulzhu
发表于 2010/3/22 下午3:54:53
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PWM诊断输出错误

yulzhu
发表于 2010/3/22 下午3:51:16
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移相全桥基础

yulzhu
发表于 2010/3/22 下午3:48:57
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移相全桥拓扑学习计划

yulzhu
发表于 2010/3/22 下午3:41:29
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注意标识功率输出和反馈输出

yulzhu
发表于 2010/3/22 下午3:40:32
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混合动力和汽车电子

yulzhu
发表于 2010/3/22 下午3:32:58
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产能紧张，中芯国际应当优先保证谁的利益？

老杳吧
发表于 2010/3/22 下午3:32:10
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为什么近期芯片产能如此吃紧？

老杳吧
发表于 2010/3/22 下午3:30:55
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性格，职业，发展

yulzhu
发表于 2010/3/22 下午3:29:48
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大陆籍核心高管层到位，SMIC能否给业界惊喜？

老杳吧
发表于 2010/3/22 下午3:28:37
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HSD的诊断波形

yulzhu
发表于 2010/3/22 下午3:27:33
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解读：直播星芯片被禁意在打击高仿机

老杳吧
发表于 2010/3/22 下午3:26:13
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晶圆厂都在扩招，为什么中芯国际逆市裁员？

老杳吧
发表于 2010/3/22 下午3:23:51
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过压和欠压检测电路-数值验证

yulzhu
发表于 2010/3/22 下午3:22:32
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