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论山寨手机与Android 【4】手机产业链与Design House2010-
【4】手机产业链与DesignHouse前文说到，生产手机以前，制造厂家需要预先得到软硬件的产品级设计方案，然后按照设计方案亦步亦趋地做，就可以制造出手机了。软硬件的产品级设计包括以下内容，1.主板设计，或者Gerber文件，或者PCB板。2.产品级的系统软件。3.需要组装的
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论山寨手机与Android 【3】山寨手机是怎样生产出来的？2010-03-20
【3】手机是怎样生产出来的？要说清楚MTK在商业模式上有什么优势，以及Android对于MTK未来的手机开发会有什么影响，首先得了解手机从设计，开发到生产的整个过程。让我们先来看看手机的生产过程。在生产制造环节，山寨手机和正牌手机的区别其实不大。1.装配主板大多数电
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论山寨手机与Android 【2】 手机OS成为核心2010-03-20
【2】手机OS成为核心手机凭借通话和短信这两项基本功能，积累了用户，开拓了市场。但是用户的需求是永无止境的，对于手机制造商来说，紧跟用户需求，拓展手机功能，是机会也是挑战。1988年第一款数码相机，在日本上市。数码相机的关键是感光芯片。最初的数据相机，使用
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论山寨手机与Android 【1】MTK亮相的历史背景2010-03-16
山寨手机的兴起，离不开MTK(联发科)。MTK为手机制造提供了一揽子解决方案，其中既包括硬件，也包括软件。软件方面最重要的，是操作系统。MTK方案的软件的稳定性非常高，一方面是因为其硬件系统变化不大，另一方面，得益于MTK在系统软件上投入的巨额的资金和大量的人力。
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微电子所博士研究生学术论文被IEEE 2010 RFIC Symposium收录
From:IMECAS近日，微电子所微波器件与集成电路研究室（四室）博士研究生陈高鹏、吴旦昱主要撰写的两篇有关数字频率合成芯片研究的学术论文被国际最大射频集成电路年度会议（IEEE2010RFICSymposium）收录，并获邀赴美作报告。2010年IEEE射频集成电路（RFIC）会议将于&ldq
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Opinion: Leaving China is Google's only
From:EETimesInthewakeofthelatestthreatbytheChinesegovernment,GoogleInc.sonlychoiceistopackupandexittheChinesemarket,wholesale.Itwouldbedifficultforanycompanytoturnitsbackonthenationthathousesmorepotentialusersofitsproductthananyother.Butthisisprecise
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久违2010-03-07
整整两个月过去了，没有在这里留下任何足迹。起先是因为Blogbus莫名其妙地被盾，导致无法访问；恢复之后又恰逢年底狗血淋头般的忙碌，之后又是回家过年慵懒成性，再之过年回来又千头万绪...终于，在这个下午，外面，3月份的北京居然又开始飙雪，冷风呼呼的，我可以在这
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HSD的防反接方案2
在这篇里面主要介绍上面介绍的几种方法的问题。1.加电阻的方法特点：压降很大，必须计算电阻的值正向的反向的脉冲都会耦合至输入引脚和反馈引脚在反向导通的时候，电阻的功耗相当大如果正脉冲进入输出脚，管子可能关闭2.加二极管的方法特点固定管压降，且负载只能是阻性
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HSD的防反接方案1
前面已经介绍过了两个防反结，这里把链接放上去：电源反接讨论输出负载的反极性保护-（LSD）关于这两个问题呢，我想补充一下，用二极管毕竟只能用在小电流上面，一旦电流较大，在正常工作状态，二极管的功率较大。这里选择二极管非常困难，因此我们一般的默认为等级C，
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并联三极管基极引发的问题
这里的问题是这样的，一个控制口给三个PNP的管子的基极供电，失效的时候是一个管子不能进入饱和区，由于每个管子的VBE和HFE的初始值不相同，且随着温度变化相差更大，由此引发的问题是三个管子不能正确的偏置，VBE比较低的管子的偏置电阻的电流最大，其余的两个管子的偏
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输出负载的反极性保护-（LSD）
今天要谈的东西有两个，输出负载的反极性保护，在前面已经介绍过电源的反极性保护，链接如下：电源反接讨论负载，以灯为例，可以采用HSD和LSD的方式。先谈LSD，如果我们不采取保护，就会出现下面的情况：实验如下：我们的电池的反接是全局性的，也就是说当电池反接的时
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（MOV）层叠金属氧化物压敏电阻
MetalOxideVaristor金属氧化物压敏电阻，今天要探讨的就是这个器件，一般的我们使用的贴片的较多，这里简称层叠的MOV为MLV（MultilayerVaristors）。我们选取一个5.6V和14V的MOV看VI特性曲线：等效电路如下图：MOV的特性一般从Datasheet来看以下几个：汽车级MOV参数（直
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PlUG-IN HEV 安全性指标 整理
在很多文献中看到一些很普遍的概念，把这些东西整理一下：顺便给两个链接：GB/T18384.2-2001电动汽车安全要求第2部分：功能安全和故障防护GB/T18384.3-2001电动汽车安全要求第3部分：人员触电防护GB/T19751-2005混合动力电动汽车安全要求GB/T18487.2-2001电动车辆传导充
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CCD和CIS的成像原理
CIS是ContactImageSensor“接触式图像感测器”,CIS是由光源系统和感光系统的单件构成的集成模组。CCD和CIS的主要不同在于成像结构上：CCD成像系统如下：待扫瞄文件所反射的光线经由一组镜片群系统反射到一个透镜，而这个透镜的工作则是将图形送到CCD探测器。
