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【原创】关于业界FPGA开发板杂谈-coco布置的十一作业

关于业界FPGA开发板杂谈蜗居FPGA界5年有余,业内FPGA开发板形形色色的太多,应coco之邀,写下鄙人对当下FPGA开发板的相关看法、推荐、杂谈!言谈中难免有一些个人的想法,甚至有余多年来受的摩擦而发表的一己之见,再次申明以下一切说法均为客观的评

PCI、PCI-x,PCI-E兼容以及他们之间的区别详细图解

一、PCIPCI接口分为32bit和64bit两种,32bit就是一般台式机使用的普通的pci接口(图一、图三),64bit接口比32bit接口长一些一般只出现在服务器上(图四、图五)。32bit和64bit都有5v和3.3v电压两种,5v电压的是PCI2.1标准的时钟频率为33MHz,3.3v电压的

LVDS原理及设计指南

LVDS是一种低摆幅的差分信号技术,它使得信号能在差分PCB线对或平衡电缆上以几百Mbps的速率传输,其低压幅和低电流驱动输出实现了低噪声和低功耗。IEEE在两个标准中对LVDS信号进行了定义。ANSI/TIA/EIA-644中,推荐最大速率

高斯模糊 方程改进方案

高斯模糊(英语:GaussianBlur),也叫高斯平滑,是在AdobePhotoshop、GIMP以及Paint.NET等图像处理软件中广泛使用的处理效果,通常用它来减少图像噪声以及降低细节层次。在上一篇博客中,为了计算权重,我们得到图像二维的高斯函

高斯模糊

高斯模糊(英语:GaussianBlur),也叫高斯平滑,是在AdobePhotoshop、GIMP以及Paint.NET等图像处理软件中广泛使用的处理效果,通常用它来减少图像噪声以及降低细节层次。1简介高斯模糊(GaussianBlur)是美国Adobe图像软件公司开

IC设计流程与使用工具介绍

《ic设计流程与使用工具介绍》我认为IC设计流程按照功能和应用场合不同大致可以划分为三个部分进行介绍,分别是数字IC、模拟IC和FPGA。这三者之间既有相同点又有相异点。在进行设计时,所使用的软件工具也有相同和不同的。1).数字A

RFID频段

RFID頻段分為低頻、高頻、超高頻、微波等四個頻段,其中目前以高頻及超高頻(860~960MHz)及微波為主要應用。低頻(LF):125~135KHz高頻(HF):13.56MHz超高頻(UHF):433MHz及860~960MHz微波(Microwave):2.45GHz各頻段之特性比較頻率低頻(LF)高頻(HF)

启动HardCopy系列器件设计

采用HardCopy®ASIC规划的系统实现了真正的硬件和软件协同设计,大大缩短了系统面市时间,使您能够尽快获得收益。Altera的Quartus®II软件工具使用简单,结合Altera及其合作伙伴的知识产权(IP),帮助你同时进行FPGA和ASIC设计。只要在QuartusII软

FinFET技术奠基人看FinFET与FDSOI技术之争

2011-02-1700:29:14http://www.cnbeta.com/articles/134973.htm12年前,胡正明教授在加州大学领导着一个由美国国防部高级研究计划局(DARPA)出资赞助的研究小组,当时他们的研究目标是CMOS技术如何拓展到25nm领域,当时的研究结果显示有两种途径可以

台积电反击Intel:不要用老数据侮辱我们的工艺

2014-01-2312:00:34http://news.mydrivers.com/1/290/290900.htmIntel如何在移动处理器市场立足?他们最大的筹码还是自己的半导体工艺技术,更先进的工艺可以带来更强的性能、更低的功耗。Intel此前表示,他们的制程工艺领先对手三年半,虽然没有指名

堆叠硅片互联技术 -实现 All Programmable 3D ICs

http://china.xilinx.com/products/technology/stacked-silicon-interconnect/index.htm卓越的处理能力和带宽拥有多达4.4M(400万)逻辑单元,90MbitBRAM、以及超过1400个I/O,实现突破性容量多达120个收发器,实现高达5.8Tb/s的总串行带宽面向虚拟单一设计的第二代3DIC

2.5D IC封装超越摩尔定律,改变游戏规则

2011年10月31日http://www.esmchina.com/ART_8800118148_1200_2700_3201_4300_7a3403e7.HTM?jumpto=view_welcomead_1411032516049近日,有两家公司同时发布了在芯片封装方面的革命性突破:一个是意法半导体宣布将硅通孔技术(TSV)引入MEMS芯片量产,

制程技术向7nm大跃进,3D IC硬着头皮也要上

时间:2012年5月07日07:2http://laoyaoba.com/ss6/html/27/n-312327.htmlGlobalFoundries公司正在仔细考虑其20nm节点的低功耗和高性能等不同制程技术,而与此同时,多家芯片业高层也齐聚一堂,共同探讨即将在2014年来临的3DIC,以及进一步往7nm节点发

矽穿孔技术襄助3D-IC提高成本效益

日期:2014-9-19:54:21http://www.114ic.com/info-20140901/176442.html应用直通矽晶穿孔(TSV)技术的三维积体电路(3DIC)为半导体业界提供全新境界的效率、功耗、效能及体积优势。然而,若要让3DIC成为主流,还必须执行许多基础的工作。电子设计自动化(EDA)

快速理解2D、2.5D和3D IC架构

作者:CliveMaxfield2012年06月06日http://www.eettaiwan.com/ART_8800668577_480202_TA_ad92f1e9.HTM最近,有關2.5D和3DIC的文章在網路上頻繁出現。只要稍微搜尋,就會看到許多標題包含‘3DIC’的其它文章,但當我深入研究後發現,這些文章討論的其