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三星正在改善1Gb MRAM寿命问题
据报道三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器（eFlash）的嵌入式磁阻随机访问内存（eMRAM），容量为1Gb，测试芯片的优良率已达90%。随着5G物联网时代的来临，存储器领域发展快速，而在这一领域，韩系厂商拥有着比较明显的优势。MR...
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Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南
自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）是一种持久性存储技术，可利用各种工业标准接口提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM产品，该产品利用称为JE-DDR4的JEDEC标准DDR4接口的变体，它包含了对...
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Everspin串口串行mram演示软件分析
MRAM低级驱动程序通过操作系统和调度程序集成到动力总成应用程序中。读写周期由系统时钟（300MHz）测量。图1＆2显示了针对动力总成应用的具有不同非易失性存储器接口的每个分区的读/写时间。这些表显示大多数读/写周期小于2ms。
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everspin非易失性存储器MR4A16B
Everspin科技公司表示：“Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合，以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品的发展蓝图，我们将不断提高MRAM产品的容量，并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。” 磁性随机存储器(MR...
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到2029年MRAM收入将增长170倍
对MRAM存储器的巨大需求将刺激设备支出的稳步增长。预计MRAM设备市场将从2018年的2600万美元增长到2029年的854美元-增长33倍。
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玩转Zynq连载51——[ex70] RGB2YUV、图像增强、YUV2RGB IP仿真实例
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PCIe扫盲——关于PCIe参考时钟的讨论
本文来聊一聊PCIe系统中的参考时钟，主要参考资料为PCIe Base Spec和CEM Spec。在1.0a和1.1版本的PCIe Base Spec中并没有详细的关于参考时钟的描述，而是在与之对应的CEM Spec中提及。从V2.0版的PCIe Base Spec开始，在物理层电气子层章节中增加了参考时钟相关的内容，同时提出了PCIe参考时钟的三种架构：
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STT-MRAM存在的两个弊端
随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。自从自旋转移矩效应被证实以来，一方面研究人员通过大量的努力尝试降低磁化反转的临界电流，增加热稳定性；另一方面Sony、Hitachi、Renes...
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推荐两个实用的PCIe工具软件
本文向大家推荐两个实用的PCIe相关的工具软件，Mindshare的Arbor和Teledyne LeCroy的TeleScan PE。
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PCIe V1.1/V2.1/V3.0 Changes Overview
本文将简要地介绍PCIe V1.1相对于V1.0a的主要更新，V2.1相对于V2.0的主要更新，V3.0相对于V2.1的主要更新。主要参考资料来自于Mindshare，将作为附件放在本文的末尾处。
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PCIe中的Crosslink与Multi-Root/Multi-Processor系统
在PCIe总线中，Switch是一个特殊的设备，该设备由1个上游端口和2~n个下游端口组成。PCIe总线规定，在一个Switch中可以与RC直接或者间接相连的端口为上游端口，在PCIe总线中，RC的位置一般在上方，这也是上游端口这个称呼的由来。在Switch中除了上游端口外，其他所有端口都被称为下游端口。下游端口一般与EP相连，或者连接下一级Switch继续扩展PCIe链路。其中与上游端口相连的P
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everspin MRAM在汽车市场中的应用
在整个地址空间范围内读写各种类型的数据。通常MRAM的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比，当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。 与当今的DFLASH相比，未来的汽车动力总成控制器可能需要更快，...
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然而罗芸并没有等到那一刻。天不遂人愿，罗芸得病了
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隋东风想多存一点钱，罗芸从一年等到了九年，又从九年等到了十五年。
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玩转Zynq连载50——[ex69] FIR滤波器IP仿真实例
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