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用于工业应用的Everspin MRAM

Everspin在磁存储器设计,制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权产品组合,在平面内和垂直磁隧道结(MTJ)STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位...
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MRAM的优势与劣势

MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术(MRAM设备是Spintronics设备)。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效。下面由宇芯电子介绍MRAM有哪些的...
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新型MRAM技术量产实现低功耗

在新型 RAM 技术中,MRAM 对物联网和边缘计算设备具有特别有吸引力。因为它能实现比目前这类硬件上的首选存储类内存 -NAND闪存-低得多的功耗,同时实现非易失性数据存储。非易失性MRAM 本身访问速度也相当快,这便意味着不仅可以用它取...
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带can的国产mcu单片机MM32L073

MM32L073使用高性能的ARM®CortexTM-M0为内核的32位微控制器,最高工作频率可达48兆赫兹,内置高速存储器,丰富的增强型I/O端口和外设连接到外部总线。灵动微核心代理商英尚微电子所提供的MM32L073产品包含1个12位的...
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基于28nm工艺低电压SRAM单元电路设计

在分析传统SRAM存储单元工作原理的基础上,采用VTC蝴蝶曲线,字线电压驱动,位线电压驱动和N曲线方法衡量了其静态噪声容限。 在这种背景下,分析研究了前人提出的多种单元优化方法。这些设计方法,大部分仅仅优化了单元读、写一方面的性能,另一方面...
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兆易创新MCU GD32F3系列详情

业界领先的半导体供应商兆易创新MCU GD32F3系列提供了3大系列37个产品型号,包括LQFP144、LQFP100、LQFP64和 LQFP48等4种封装类型选择。从而以前所未有的设计灵活性和兼容度轻松应对飞速发展的产业升级挑战。宇...
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非易失性MRAM诞生过程

MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结 (MTJ)储存单元为基础,MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层,和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时,MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性。而当自由...
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Everspin MRAM解决方案的新应用程序

Evespin宣布JAG Jakob的PdiCSTM过程控制系统使用了该公司的MR4A16B 16Mb MRAM芯片。Everspin说,JAG选择了Everspin的PdiCSTM系列产品中的16Mb MRAM,因为它是唯一能确保20年使用寿命和24/7正常运行时间的技术。
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eMRAM究竟是融合还是替代?

eMRAM属于新型存储技术,同目前占据市场主流的NAND闪存相比较,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在边缘设备中具有替代NAND闪存和部分SRAM芯片的潜质。它在22nm的工艺下投产,将会加快新型存储技术的应用进程,未来发展前景将被看好...
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意法半导体MCU将IoT功能提升新高度

智慧城市提供的服务越来越多,而用于收费的服务也逐渐增多。随着城市物联网(IoT)基础设施不断扩展,当地企业自然而然地也开始加以利用。在这个发展过程中,人们期望可以使用合适的电子货币支付小额费用和小额购买,即进行小额支付。于是出现了基于“分类...
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灵动微MM32W073NTB防疫血氧仪应用解决方案

灵动微电子是国内具有一定名气的MCU产品与应用方案的领先供应商,目前基于ARM Cortex-M0及Cortex-M3 内核的MCU产品包括了针对通用高性能市场的MM32F系列,针对超低功耗及安全应用的MM32L系列,具有多种无线连接功能...
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MRAM关键工艺步骤

非易失性MRAM芯片组件通常在半导体晶圆厂的后端工艺生产,下面英尚微电子介绍关于MRAM关键工艺步骤包括哪几个方面.(1)底部电极的形成(参考图1):经由传统图案化与镶嵌工艺形成的底部电极层需要抛光至平坦,并为MTJ堆栈沉积提供超光滑的表面...
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物联网ram继承PSRAM的积极特性

IoT RAM即是物联网RAM,是基于PSRAM技术的技术,它增加了其他接口选项,例如大多数MCU/FPGA使用的低引脚数Flash SPI接口,以及SoC需要的易于使用的系统级封装(SiP)选项比内部SRAM更大的内存。物联网ram继承了...
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MPC5675K外部总线接口(EBI)应用中的关键问题详解

转载,mark:MPC5675K外部总线接口(EBI)应用中的关键问题详解
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超低功耗ST-MRAM内存架构

ST-MRAM有潜力成为领先的存储技术,因为它是一种高性能存储器(可以挑战DRAM和SRAM),可扩展至10nm以下,并挑战了闪存的低成本。STT代表旋转传递扭矩。在ST-MRAM器件中,电子的自旋使用自旋极化电流翻转。目前有研究人员开发了...