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聊一聊FPGA中除法器的设计（VerilogHDL篇）
其实除法器并不是什么新鲜玩意了，网上关于除法器的博文也多了去了，也有好几种设计方法。有的挺实用，有的应用范围很有限，很难应用于大规模的程序设计中。今天要介绍的也表示什么高级算法，网上之前也有很多人讨论过了，不过基本上都是抄来抄去，有的里面甚至还存在错误，有的只是跑了遍功能仿真，提供的程序也存在较多的错误或者不合理的地方。其实，我也没干什么事，只是把前人的结果总结整理了一遍，把相关的程序规范了一下，
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利用TCL脚本（do文件）管理仿真流程简明教程（一）ActiveHDL RTL仿真篇
如本篇博文的标题所示，今天要聊的是高级一点的内容：利用TCL脚本（do文件）管理ActiveHDL RTL仿真流程。标题中的（一）表示，后续可能还会继续发布关于ActiveHDL 另外两种仿真流程的TCL脚本控制方法以及Modelsim软件的相关内容。
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DDR扫盲——关于Prefetch与Burst的深入讨论
首先，简单介绍一下Prefetch技术。所谓prefetch，就是预加载，这是DDR时代提出的技术。在SDR中，并没有这一技术，所以其每一个cell的存储容量等于DQ的宽度（芯片数据IO位宽）。【关于什么是cell（存储单元，可以去看一下，我之前的博文：http://blog.chinaaet.com/justlxy/p/5100051913 ）】
进入DDR时代之后，就有了prefetch技术，
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【转】认识FPGA触发器的亚稳态
边沿型触发器的输出有两个稳定状态: 高电平或者低电平。为保证可靠操作, 必须要满足触发器的时序要求，也就是我们熟知的建立时间和保持时间。如果输入信号违反了触发器的时序要求, 那么触发器的输出信号就有可能会出现非法状态---亚稳态。亚稳态是一种不稳定状态,在一定时间后, 最终返回到两个稳定状态之一。
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DDR3中的ODT动态模式详解
首先举一个例子：
早期的DDR（注：DDR2开始支持ODT功能），当向内存写入数据时，如果只有一条内存，那么这条内存就自己进行信号的终结，终结电阻等效为150Ω。如果为两条内存，那么他们会交错的进行信号的 终结。第一个模组工作时，第二个模组进行终结操作，等第二个模组工作时，第一个模组进行终结操作，但等效电阻为75Ω。当有三条内存的时候，三条会交替进 行信号终结，但等效电阻为50Ω。对于省略终端电阻
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DDR3中的ODT同步模式详解
昨天简单介绍了一下DDR3的ODT的作用，今天来详细聊一聊ODT的几种操作模式，首先是ODT的同步操作模式，这也时使用最多，最常用的模式。http://blog.chinaaet.com/justlxy/p/5100051969
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特权同学AT7 Xilinx USB3.0+LVDS+ FPGA开发板介绍
板子配套的所有资料（文档、例程、Vivado软件），已经更新的最新的资料都会放置在百度公共网盘中供免费下载：http://pan.baidu.com/s/1kUKzt5P 板子配套的所有资料（文档、例程、Vivado软件），已经更...
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【转】DDR3中的Write_leveling
1）为了更好的提高信号完整性，DDR3存储模块采用了fly-by的拓扑结构。该拓扑应用于地址、控制、时钟线。Fly-by拓扑能有效减少stub的长度，但是较长的走线带来了CK-CK#与DQS-DQS#间的时延（由于CK-CK#的飞行时间，其...
