yulzhu

电子技术应用专栏作家——芝能汽车。紧跟技术创新,助力行业发展。

MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点

我们在应用MOS管和设计MOS管驱动的时候,有很多寄生参数,其中最影响MOS管开关性能的是源边感抗。寄生的源边感抗主要有两种来源,第一个就是晶圆DIE和封装之间的Bonding线的感抗,另外一个就是源边引脚到地的PCB走线的感抗(地是作为驱动电路的旁路电容和电源网络滤波网

MOS管驱动基础和时间功耗计算

我们先来看看MOS关模型:Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds:也是非线性的

MOS管驱动变压器隔离电路分析和应用

今天在研究全桥电路,资料和书上谈到的,大多数基于理想的驱动器(立即充电完成)。这里花一些篇幅把MOS管驱动的来龙去脉搞搞清楚。预计要分几个篇幅:1.MOS管驱动基础和时间功耗计算2.MOS管驱动直连驱动电路分析和应用3.MOS管驱动变压器隔离电路分析和应用4.MOS管网上

PWM诊断输出错误

移相全桥基础

移相全桥拓扑学习计划

注意标识功率输出和反馈输出

混合动力和汽车电子

性格,职业,发展

HSD的诊断波形

过压和欠压检测电路-数值验证

谈一下我身边感受到的房价

谈一下电路的诊断

过压和欠压检测电路-定性分析

下面介绍一个隔离式的过压和欠压电路:电路图如下:我们的门限结构如图:输入电压在正常范围内的分析:因为在正常范围内,因此输出为高电平,导致光耦截至,但是仍存在一定的电流灌入门限电路和U2的输入电路。看下图:输入电压不在正常范围内的分析:由于电压偏高或者偏

HSD的防反接方案2

在这篇里面主要介绍上面介绍的几种方法的问题。1.加电阻的方法特点:压降很大,必须计算电阻的值正向的反向的脉冲都会耦合至输入引脚和反馈引脚在反向导通的时候,电阻的功耗相当大如果正脉冲进入输出脚,管子可能关闭2.加二极管的方法特点固定管压降,且负载只能是阻性